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【小结】综上所述，市投作者发展了一种通用的WSDC策略，利用该方法可以明显降低OSC薄膜晶界密度，并改善其结晶取向。资促（e-g）柔性OFET器件的转移和输出特性曲线。
而且传统MGC方法中运动的弯液面往往会在溶液中引起剪切流体流动，强化从而引起杂乱无序的溶质传输，导致晶体结晶取向的紊乱。由Dif-TES-ADT薄膜制成的OFETs平均载流子迁移率为10.1cm2V-1s-1，窗口比刮涂得到的Dif-TES-ADT薄膜迁移率（2.14cm2V-1s-1）高4.7倍。2008年入选教育部新世纪优秀人才，意识流2014年获国家自然科学优秀青年基金，2020年入选国家百千万人才工程。
图五、打造基于WSDC方法制备的Dif-TES-ADT薄膜的器件性能（a）在SiO2/Si衬底上OFET的转移特性曲线。更重要的是，环境WSDC方法可以使有机薄膜的晶体质量不受传统柔性基底表面缺陷或不平整的影响，环境从而制备出了高达16.1cm2V-1s-1的载流子迁移率，是目前已报道柔性OFET中的最高值之一。
济南进局此柔性OFET的迁移率高达16.1cm2V-1s-1是目前柔性有机器件最高值之一。
然而，市投这种方法得到的OSC薄膜仍存在大量晶界与缺陷。资促（d）碳壳的界面体积比和相邻BT@CNPs之间平均距离的计算结果。
【研究背景】对于即将到来的信息化新时代，强化移动电子设备和无线通信是物联网（IOT）、大数据等先进多学科领域的基础和基本要素。窗口（d-e）BTPENG和不同电阻的BT@C-15PENG的平均输出功率。
约15nm碳层的BT@C/PENG的表现出最佳的开路电压、意识流短路电流和峰值功率密度，分别达到31V、1.8μA和45.4μW/cm2，是BT/PENG的近3.5、4.2和20倍。图七、打造PZTPENG和PZT@CPENG的输出性能比较（a）PDMS、PZT/PDMS和PZT@C-15/PDMS的P-E回路，频率为100Hz。